| 研究課題/領域番号 |
07670405
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
井上 尚英 九州大学, 医学部, 教授 (00131904)
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| 研究分担者 |
大村 実 九州大学, 医学部, 助手 (50243936)
平田 美由紀 九州大学, 医学部, 助手 (30156674)
田中 昭代 九州大学, 医学部, 講師 (10136484)
槙田 裕之 九州大学, 医学部, 助教授 (30209407)
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| キーワード | 半導体新素材 / ガリウムヒ素 / インジウムヒ素 / 三酸化ヒ素 / リスク評価 / 亜急性毒素 / 気管内投与 / ラット |
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| 研究概要 |
化合物半導体の中で、その基板に毒性の強いヒ素を含むガリウムヒ素(GaAs)やインジウムヒ素(InAs)の毒性を評価するためにラットを用いた亜急性毒性実験を行った。GaAs粒子およびInAs粒子をラットの気管内に週2回、合計16回の反復投与を行い、最終投与の翌日に全例生殺し、評価を行った。その結果、体重増加に関しては、InAs群で投与終了直前に体重減少が観察された。相対臓器重量ではInAs群で肺、脾臓および腎臓で、GaAs群では肺で顕著な増加を認めた。肺の病理組織学的所見では、InAs群およびGaAs群の両群で肺炎や細気管支上皮の増生が観察されたが、それらの病変の重症度はGaAs群に比べてInAs群でより強く、しかもInAs群では扁平上皮化生も観察された。肺組織中の各構成金属濃度の分析の結果から、肺組織の体重kg当たりの推定粒子沈着量はGaAs群では約25mg、InAs群では約33mgであり、特にInAs群で高い肺内沈着が認められた。一方、雄性生殖器障害も認められた。特にGaAs群では精巣上体の精子数の減少や精巣での変性精細胞数の著明な増加および出現頻度の著しい上昇が認められた。InAs群においても精巣上体の体尾部で精子数の有意な減少が認められた。その程度はGaAs群と比較すると軽度であった。肺での組織障害性の強さ(InAs>GaAs)とは逆に雄性生殖器障害に関してはGaAsの方がInAsよりも強いことが示唆された。
本研究により、GaAsやInAs粒子の気管内への反復投与によって投与部位である肺だけでなく遠隔臓器にも毒性の発現が認められ、全身的な障害が引き起こされることが明らかになった。半導体産業の労働環境や廃棄物を介しての一般環境でGaAsやInAs粒子に曝露される可能性は先端産業の発展と伴に増大しており、健康影響に関しては十分に注意を払う必要があると考えられた。
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