| 研究概要 |
および4元混晶のIII-V磁性半導体とヘテロ構造の形成と制御およびその応用につき、以下の研究を行った。
・3元混晶(GaMn)As,4元混晶(GaInMn)As磁性半導体、MnデルタドープGaAsを分子線エピタキシーにより成長し、その磁気特性(保持力、残留磁化、飽和磁化、磁気抵抗、ホール抵抗など)の評価を行った。
・上記磁性半導体を含むヘテロ構造を作製した。
・低温アニール処理による欠陥制御、キャリア濃度と強磁性転移温度の高温化を試みた。
・磁気円2色性(MCD)測定により磁気光学特性を明らかにした。MnデルタドープGaAsおよびそのヘテロ構造では大きな磁気光学効果を示し、GaAsと同様の閃亜鉛鉱型バンド構造をもつことがわかった。
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