| 研究課題/領域番号 |
08044091
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
高畠 敏郎 広島大学, 理学部, 教授 (40171540)
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| 研究分担者 |
KALVIUS Geor ミュンヘン工科大学, 物理学科, 教授
REGNAULT Lou グルノーブル原子力研究所, 主任研究員
門脇 広明 東京都立大学, 理学部, 助教授 (70194876)
梅尾 和則 広島大学, 理学部, 助手 (10223596)
伊賀 文俊 広島大学, 理学部, 助教授 (60192473)
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| キーワード | 近藤半導体 / 中性子散乱 / ミュエスアール / スピングラス / スピンギャップ / 非フェルミ液体的挙動 |
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| 研究概要 |
近藤半導体のギャップ形成機構を解明する為に、CeNiSn,Ce_7Ni_3,YbB_<12>の中性子散乱とミュオンスピン緩和の実験を、広島大学で育成された単結晶試料を用いて、それぞれグルノ-ブル(仏)のラウエ・ランジュバン研究所とラザフォード研究所(英)で行なった。
1.中性子非弾性散乱
(1)CeNiSnのa軸方向に12テスラの強磁場を印加すると、波数(00.51)の4meVの励起ピークは巾が広がり低エネルギーのスピンギャップを埋めるだけでなく、波数空間でも広がる。
(2)Ce_7Ni_3に圧力を印加すると4kbarで反強磁性が潰れる。臨界圧力付近での磁気励起スペクトルは(E/T)でスケールすると一つの関数で表される。これは以前UCu_4Pdについて報告された非フェルミ液体的スケール則である。
(3)^<11>B同位元素を用いて作製されたYbB_<12>単結晶について非弾性散乱実験が行われた。スピン励起が立方晶の<111>方向に強い異方性を持つことが判った。
2.ミュオンスピン緩和
(1)CeNil_<-x>Cu_xSnでは_x=0.05と0.08の間で非磁性からスピングラス的状態へと転移する。
(2)Ce_7Ni_3では1.8Kで起こるスピン密度波転移が1次の相転移であり、Ceの磁気モーメントはc軸方向から傾いている。
3.共同研究の成果のとりまとめと発表
平成9年7月までの成果は、磁性国際会議ICM97において招待講演として高畠によって発表された。ミュエスアールの実験結果のとりまとめは、A.Kratzerを広島に招いて行った。
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