| 研究課題/領域番号 |
08405002
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(A)
|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
伊藤 良一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (40133102)
|
|---|
| 研究分担者 |
宇佐美 徳隆 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (20262107)
矢口 裕之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (50239737)
近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (60205557)
尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50204227)
白木 靖寛 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00206286)
|
|---|
| キーワード | 非線形光学 / 波長変換 / 光第2高調波発生 / 差周波発生 / 化合物半導体 / 分極反転 / 疑似位相整合 / アンチフェイズドメイン |
|---|
| 研究概要 |
1.GaAs/Si/GaAs分極反転エピタクシー
MBE装置を用いてGaAs/Si/GaAs分極反転エピタクシャル成長の基礎実験をおこなった。エピタクシャル膜の分極の評価はRHEED観察と成長層の異方性エッチングとによっておこなった。Si層の膜厚・GaAsプリレイヤーの成長温度をパラメータとして各種の条件下で成長をおこなったところ,SI層が薄く緩和していない場合にはまったく分極反転が起こらないこと,Si層が厚く緩和している場合には成長温度400℃以上で反転し400℃以下では反転しないことがあきらかとなった。分極反転エピタクシャル膜の高分解能TEM観察により成長初期に存在したアンチフェイズドメインが次第に消失して分極反転層が形成されていることがわかった。こうした結果から分極反転エピタクシーのメカニズムについて検討をおこなっている。
2.分極反転エピタクシャル膜からの第2高調波発生
分極反転エピタクシャル膜について反射第2高調波測定をおこなったところ,基板と分極反転層とでは確かに2次非線形光学定数の符号が反転していることが確認できた。
以上の研究項目を通じて分極反転エピタクシャル成長が実際に可能であることを初めて実証することができた。来年度以降はアンチフェイズドメインのないGaAs/Si/GaAs分極反転エピタクシャル成長を目指すと共に,よりミスマッチの少ないGaP/Si/GaPあるいはGaAs/Ge/GaAs分極反転エピタクシーについて検討していく予定である。
|
