| 研究分担者 |
宇佐美 徳隆 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (20262107)
矢口 裕之 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (50239737)
近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (60205557)
尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (50204227)
白木 靖寛 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00206286)
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| 研究概要 |
昨年度の成果に基づいて,本年度は格子整合系(GaAs/Ge/GaAs,GaP/Si/GaP)の分極反転エピタクシーについて研究をおこなった。
1.格子整合系分極反転エピタクシー格子整合系であるGaAs/Ge/GaAs,GaP/Si/GaPについて分極反転エピタクシーの可否を調べた。いずれもオフ基板を用いることで分極反転が実現できることを確認できた。昨年度研究をおこなったGaAs/Si/GaAs系と同じようにアンチフェイズドメインの自己消滅が分極反転を引き起こしているが,それぞれの系におけるその具体的なメカニズムは互いに異なっているようである。
2.周期的分極反転構造の作製GaAs/Ge/GaAs系分極反転エピタクシーの手法を用いて周期的分極反転構造AlGaAsデバイスを作製する方法を考案した。Ge薄膜にパタ-ニングを施すことによって上部に成長するAlGaAsの分極方位を制御するものである。成長の初期過程でアンチフェイズドメインが発生してもデバイス部に影響を与えることなく成長がおこなえる点が大きな特徴である。実際に周期分極反転構造の作製が可能であることも既に確認した。
3.第2高調波発生デバイスの設計光通信領域で使用可能な差周波発生デバイスの開発を念頭において,AlGaAs疑似位相整合第2高調波発生デバイスの基本設計をおこなった。その結果,既存のLiTaO_3疑似位相整合デバイスを凌駕する性能が得られることがわかった。既にデバイス作製にも着手している。
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