| 研究概要 |
磁化力(χ(B・∇)B/μ_0)の利用に当たっては磁化率χの値に注目する必要がある.本研究で対象とする材料は非磁性の金属であり,χの値は強磁性物質に比較して極めて小さいものの,その値は物質によって大きく異なり(反磁性物質では負値を取る)かつ,結晶方位によっても異なることが知られている.そこで,本研究では強磁場中におかれた金属試料にレーザー光を照射して試料金属を蒸発させ,基盤に蒸着して得られた微粒子の結晶方位制御を行う.
本実験に先立ち,装置の組立および操作条件の把握のためにボア-内の磁束密度分布の測定,YAGレーザー光の焦点と試料設定の位置の測定を決定した後,基盤位置と試料設定位置.真空度と蒸着挙動.基盤温度と蒸着状態について調べた.
具体的には,真空雰囲気中(10^<-2>torr)で,亜鉛(χ=-0.157×10^<-6>emu),ビスマス(χ:-1.35x10^<-6>emu),マンガン(χ:11.8x10^<-6>emu)にYAGレーザー光を照射し,蒸発金属を強磁場(Bmax:5.5T)中におかれたガラス基盤上に蒸着した.得られた試料の表面観察を顕微鏡観察により,結晶形態をX線回折によって行った.マンガン試料の場合,蒸着した粒子は強磁場中では球状を呈したが,磁場を印加しない場合には扁平となった.また,X線回折によってマンガンの結晶配向に磁場の依存性が見られた.
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