| 研究概要 |
微小超伝導体の磁束状態 単電子トランジスタ構造が、微小超伝導体の磁束状態を調べるのに最適であることを明らかにした。この方法では、エネルギーキャップを電気伝導を用いて直接測定するので、鋭敏な測定が可能であり、微小超伝導体は、2つのトンネル接合に挟まれて孤立しており、周囲環境との結合も最小限に抑えられている。この構造を用いて、微小超伝導体リングでは、ク-パ-対の数が固定されているにもかかわらず、秩序パラメタの位相は空間的な一価性を保ち、フラクソイド量子化の記述が有効であることを確認した。また、穴の開いていない超伝導体では、超伝導秩序パラメタの振幅が表面付近で大きくなる、表面超伝導が起こっていることを発見した。
2次元電子系の微小磁性体修飾 ヘテロ接合2次元電子の表面に微小磁性体の周期構造による修飾を施し、周期的な磁場変調による磁気抵抗の振動現象を見出した。従来は同時に導入されるポテンシャル変調の効果によって明瞭な検出が困難であったが、微小磁性体のヒステリシス現象を用いることによってこれを可能にした。
希薄磁性半導体の低温電気伝導 新しいIII-V族希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの成長に初めて成功し、その強磁性相において超巨大磁気抵抗が現れることを発見した。また、更に低温で大きな異方性が現れることも発見した。(In,Mn)As/GaSbのヘテロ接合において、低温で光により発生したキャリアによって強磁性が誘起されることを見出した。更に微細加工した試料で、バルクハウゼンジャンプが現れることを見出した。
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