イオン注入ボイドを用いた新しいSOI作製法(ボイドカット法)に関する基礎的研究

1996 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 08455151
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 研究機関: 法政大学
• 研究代表者: 原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
• 研究分担者: 山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
• キーワード: シリコン / イオン注入 / SOI / LSI / ハクマク

研究概要

集積回路の高速化、低電力化に必要なSOI(Si on insulator)Si薄膜形成に関する基礎的な研究を行った。
特にHイオン注入により、欠陥SiとH結合が形成される機構とこの結合形成に関連したSi薄膜のデラミネーションに関する研究を行った。
トライオゴナル結合からテトラゴナル結合に変換される際に、過剰Hが排出され、Si結合が切断されることを明らかにした。
この研究の成果として、この0.7μmの厚さを有したSi薄膜が表面から剥離する詳細とこの剥離(デラミネーション)が生じるイオン注入、アニール条件(温度、時間)を初めて明らかにした。またこのデラミネーション現象を透過型電子顕微鏡と走査型電子顕微鏡で初めて観察できたのが今年度の研究実績である。

研究成果

• [文献書誌] 崎山.原: "Arsen : c ion implan falion into SIMOX layers" Jof Electrochem.Soc.143.3. 67-69 (1996)
• [文献書誌] 原: "パターン平坦化研磨プロセスの評価技術" 精密工学会誌. 62. 513-516 (1996)
• [文献書誌] T.Hara ef.al: "Delaminations of thin layers by high aose H^+Implantation" Jof Eleetrochem.Soc.143.8. 166-168 (1996)
• [文献書誌] T.Hara ef al: "H^+Implantation in Si for the ooid cut SOI" Proc.IEEE. 10A. (1996)
• [文献書誌] T.Hara ef al: "Barrier effect of TaSiN layers for Odiffersion" Jof Electrochem.Soc.143.11. 264-266 (1996)
• [文献書誌] T.Hara ef al: "Orientation measurement of Al(III) planes in Al-Si-Cu" J.Electronics,Information and comm Soc.Japan. 79.7. 106-112 (1996)
• [文献書誌] T.Kitamura,T.Hara: "The 4th Inter.Symp.High Purity Si IV" Gleatrochem.Soc.Publish, 630 (1996)
• [文献書誌] T.Hara: "Materials and Process Characlerization of Ion" Ion Beam Press.Austin TX.USA, 800 (1997)