イオン注入ボイドを用いた新しいSOI作製法(ボイドカット法)に関する基礎的研究

1997 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 08455151
• 研究機関: 法政大学
• 研究代表者: 原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
• 研究分担者: 佐藤 政孝 法政大学, イオン工学研究所, 助教授 (40215843) ; 山本 康博 法政大学, 工学部, 教授 (50139383)
• キーワード: イオン注入 / シリコン / SOI / 薄膜 / はく離

研究概要

新らしいSOI(Silicon on insulator)作製法として提案された水素イオン注入法は従来法に比べ全ての点ですぐれている.しかしこの薄膜のはく離(デラミネーション)現象はほとんどわかっていなかった.本研究ではこのデラミネーションの詳細、原理、およびデラミネーションの発生に必要なアニール温度、時間をはじめて明らかにした.またこのデラミネーションに必要な注入水素とこの注入により導入されたシリコン欠陥との強い結合形成の詳細も明らかにした.

研究成果

• [文献書誌] 原 他: "H^+ implantalion in Si too the void cut SOI" Proc. IEEE The II Inter. Cont. 1.1. 45-48 (1997)
• [文献書誌] 原 他: "Implantation and annealing conditions for the dolam" J. Electrochem. Soc.144.4. 78-81 (1997)
• [文献書誌] 原 他: "Minority carrior lifetime measurement in Si epifocial" J. Electrochem. Soc.144.4. 54-57 (1997)
• [文献書誌] 原 他: "Ta Si N barrio layer for diffasion" Japan. J. of Appl. Phys.36,7B. 893-895 (1997)
• [文献書誌] 原 他: "Total process in 0.18 and 0.25 μm ahmic contents" Microelectronic Engineering. 37/38. 67-74 (1997)
• [文献書誌] 原 他: "Measurement of the delamination of thin Si and SiC" Japan. J. of Appl. Phys.36,9A. 1142-1145 (1997)
• [文献書誌] 原 他: "Optimization of V L S I Plasma Process for TiN." Physica B. 239. 50〜52 (1997)
• [文献書誌] 原 徹: "高エネルギーイオン注入および高ド-ズ水素イオン注入" 電気学会誌. 118. 161〜164 (1998)
• [文献書誌] 原 徹: "Materials and Process Characterization of Ion" Ion Beam Press, Austin, TX. U.S.A, 482 (1997)
• [文献書誌] T. Hara: "Proc Symp. on SOI" The Electorochem. Soc. NJ. U.S.A, 560 (1997)