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(1) 3次元MOSトランジスタの動作機構の解明
SGT型3次元MOSトランジスタの動作機構を解析した。具体的には、SGT型3次元MOSトランジスタのしきい値を初めとする静特性に対して、シリコン柱直径、ゲート酸化膜厚等の構造パラメータ依存性を系統的に解析した。その結果、SGT型3次元MOSトランジスタの特性を決める構造パラメータが抽出できた。
(2) 総括
本年度までに解明された解析結果を用いて、SGT型MOSトランジスタの動作機構のモデル化を行った。具体的には、SGT型MOSトランジスタの電圧・電流特性を解析的に定式化することに成功した。この結果、3次元MOSトランジスタにおける動作速度、電力消費、微細構造を律速している要因を明確にできた。これにより、より高性能な新しい構造の高性能3次元MOSトランジスタに対する設計指針が提案できた。
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