研究概要 |
1)プルキーニェ細胞間GABA性シナプスでのシナプス後電流増強機構の研究 細胞内でのCaイオンの放出過程がGABA電流の増大に必須であることを示した。CICR機構よりも、IICR機構がより高い関連を示した。細胞内Ca濃度の増大に引き続く機構は依然として不明であるが、将来的にはGABA受容体の感度の増加による現象なのか,GABA受容体そのものの数的な増加によって生ずる現象かを明らかにした。 2)ラット台形体内側核に形成される杯様シナプスでの位相応答特性を持つ伝達特性の生後発達過程 生後4日令(P4)から13日令(P13)の範囲で、シナプス電流を解析すると、日令の若い細胞ではシナプス電流の大きさおよび電気刺激後の発生タイミングが大きく揺らいだ。一方9日令を過ぎた細胞では揺らぎは小さく、非常に均一な大きさおよび時間経過を示すシナプス後電流が記録できた。この間、EPSCの大きさはおよそ5倍により、分散係数(CV)で評価した電流値の揺らぎは6分の1に減少した。さらに自発的に発生するP4のmEPSCは進んだ日令(P9)のEPSCと同一の時間経過を示す。シナプス伝達の要素過程が既にP4で完成していることを示唆する。日令が進むにしたがい強力になるシナプス伝達はその多くがシナプス前終末におけるCa^<2+>電流の増加に起因するものと考える。Caチャネル毒素によってCaチャネルを部分的に阻害し、シナプス電流量を対照の20-30%に減少させた状態では,Caイオンに対する感受性が減少し、シナプス伝達に非同期的な放出が増大した。したがって、対象とした位相応答特性を持つシナプス伝達はシナプス前終末でのCaチャネルとシナプス小胞間の相互作用が増大すること、おそらくシナプス小胞とCaチャネルがより近接して存在する事によって完成すると考える。
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