| 研究課題/領域番号 |
08457118
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 研究機関 | 北里大学 |
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研究代表者 |
相澤 好治 北里大学, 医学部・衛生学, 教授 (10124926)
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| 研究分担者 |
苅部 ひとみ 北里大学, 医学部, 講師 (10161259)
小谷 誠 東京電機大学, 工学部, 教授 (60057205)
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| キーワード | 半導体 / 磁界測定 / インジウムリン / インジウムヒ素 |
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| 研究概要 |
近年我が国の産業は著しい発展を遂げ技術の先端化に伴ない、半導体産業の現場に於いても関連物質の生体に及ぼす影響等に関する評価が、労働衛生の面からも重要視されている。我々は平成5年度来の研究に基づき、小動物肺胞マクロファージの異物認識・処理能力を利用し、小谷教授によりin vitroの実験系用に考察・開発された磁界測定装置を用いて細胞運動をとらえ、緩和を指標とした細胞毒性を検討し、in vivo、即ち家兎における成績と一致する結果を得て来た。又、細胞質由来の逸脱酵素としてLDH活性値測定と、細胞死に至る形態学的変化についても緩和と併せ検討して来た。その結果、半導体関連物質の細胞毒性は、GaAs、Ga_2O_3の順に強く、又、濃度依存症であることが示された。
本研究では、磁界測定による残留磁界の急速な低下(緩和)を指標として半導体関連物質の細胞毒性評価を行うことを目的とし、小動物の培養肺胞マクロファージに標識としてのFe_3O_4に加え、InP、InAs、有機Snなどの半導体関連物質を貧食せしめ、磁界測定装置を用いて外部磁化後、緩和への影響を検討する一方で、LDH、βグルクロニダーゼ等の逸脱酵素を測定し、又、光学・電子顕微鏡レベルでの細胞変性ないし細胞死を観察した。
その結果、GaAsの細胞障害性については、既に報告して来たごとく、磁界測定、LDH活性値測定及び形態学的観察のいずれにおいても投与量依存症であった。一方、InP、InAsは、磁界測定において緩和が認められたのに対し、逸脱LDH活性値測定においては量依存性に高値を示した。又、形態学的観察においては細胞質の変性ないし壊死を煩わせる所見を得た。以上、InP、InAsの肺胞やその他の因子についても検討を重ねてゆきたい。
更に、当該物質のみならず石灰石粉末、未知の化学物質等の安全性・評価へも応用してゆきたい。
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