研究概要 |
1.1.55μm帯吸収性回折格子利得結合(GC)分布帰還型(DFB)レーザの反射戻り光耐性評価:長距離光ファイバ通信で重要な,波長1.55μm帯のInGaAsP/InPGCDFBレーザを,吸収性回折格子構造に基づいて,試作・開発した.次に,同素子の反射戻り光耐性を測定評価し,臨界戻り光レベルが,利得結合係数の増加とともに改善されることを見い出した. 2.GCDFBレーザトライオードの試作:4段階有機金属気相エピタキシ-(MOVPE)によって,波長1.55μm帯のGCDFBレーザトライオードを作製することに,世界で初めて成功した.素子を測定評価した結果,第3端子に電圧を印加することで,吸収性回折格子の吸収係数が変化すること,共振条件が変化すること,結合係数が変化すること,などを実験的に観測・検証した. 3.GCDFBレーザのアナログ変調歪の解析と測定評価:吸収性回折格子型GCDFBレーザのアナログ変調歪を,新たに開発した手法により数値解析した.その結果,二次高調波歪については,活性層の利得圧縮の効果と吸収格子の吸収圧縮の効果が相殺し,歪の小さくなることが明らかになった.これを検証すべく,変調歪の測定評価予備実験を行った. 4.量子細線構造GCDFBレーザの試作:V溝基板上へのMOVPE成長を利用し,InGaAs歪み量子細線を活性層とするGCDFBレーザを世界で初めて試作した.同種の量子細線レーザで問題となる寄生量子井戸からの発光が,DFB効果によって抑圧された結果,量子細線からのDFB発振を得ることに初めて成功した.
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