| 研究概要 |
1.Si_3N_4球を用いたミリ波領域における研究(瀬川,水野,大高)
大高の計算によれば、Si_3N_4球を10層程度積層すると、39GHz(第一禁制バンド)、44GHz(第二禁制バンド)、及び54GHz(第三禁制バンド)付近に、光の禁制帯形成に伴う全反射領域が生じる事が期待される。今年度の研究においては、まず立方格子を製作し、一層の試料で、透過スペクトルの入射角依存性と偏光依存性を、30GHzから60GHzの領域で観測し測定した。これらの測定結果を大高の計算と比較し,大高の開発した球関数展開法の有効性を確かめた。さらに、最密六方格子を製作し、測定を行った。最密六方格子を多数層積層すると,層数の増加に伴い,計算に対応する周波数領域に新たな全反射領域が観測された。
またフォトニック結晶中に欠陥を導入すると、フォトニックバンドの形成に伴い生じた全反射領域に、不純物状態が鋭い透過帯として出現する事が知られている。このような,不純物に対応する透過領域も観測された。しかしこの不純物状態を正確に取り扱う理論はまだ確立されていない。このため、半導体結晶内の,種々の不純物、格子欠陥に対し開発された電子に対する有効質量近似が、フォトニック結晶に適用可能か否かの検討を行った。
2.ラテックス球を用いた可視赤外領域での研究(瀬川、国府田、大高)
一層及び多層構造を取っているラテックス球の、透過スペクトルの測定をさらに継続して行ない、可視赤外領域でのスケール則について研究を行なった。また色素をドープしたラテックス球について発光スペクトルの測定を行なった。さらに近接場顕微鏡を用い,一層及び多層構造を取っているラテックス球試料の光の伝搬の様子を観測した。
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