研究概要 |
本研究では,サブ0.1μmまでの極微細LSI多層配線構造の為のAlCVD技術の確立を目指す。初年度である平成8年度において,以下の研究を行った。 (1)クラスターAlCVD装置の設計・製作: 平成8年度は初年度であるため,クラスター装置設計に主眼をおいた。各クラスターチャンバーの設計を行った後,製作については,本年度購入した磁気軸受型ターボ分子ポンプを装着したメインチャンバー,及び搬送チャンバー,搬送チャンバー真空排気装置の製作を行い,主としてAlCVDを行うメインチャンバーと,試料ウエハを導入し,真空を破ることなくウエハ搬送が可能な搬送系との接続を完了した。以上,AlCVDの装置の設計・製作に関して,当初計画通り研究は進展している。 (2)TiNバリアメタルへのブランケットAl成長: TiNバリアメタル上へのAl堆積において,基板表面前将来として申請者らが開発したCIF3プラズマレスクリーニング技術において,クリーニング後の残留Cl, Fの影響を評価した。残留Clによるコロ-ジョン(腐植)は起こらない事,及び残留FはCVD-Al反応を促進する事を確認した。 本研究は計画に沿って進展しており,超LSI多層配線用AlCVD装置開発の見通しは立っている。
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