研究概要 |
本研究では,サブ0.1umまでの極微細LSI多層配線構造の為のAl CVD技術の確立を目指す。初年度である平成9年度において,以下の研究を行った。 (1)クラスターAl CVD装置の設計・製作: 平成9年度は,クラスター装置開発に主眼をおいた。各クラスターチャンバーの設計を行った後,製作については,磁気軸受形ターボ分子ポンプを装着したメインチャンバー,及び搬送チャンバー,搬送チャンバー真空排気装置の組立を行い,主としてAl CVDを行うメインチャンバーと,試料ウエハを導入し,真空を破ることなくウエハ搬送が可能な搬送系との接続し、さらにクリーニングまたはバリア層形成のためのプラズマチャンバー設計開発の為の条件出しを行った。 (2)有機金属原料の比較 本研究で主として用いる原料であるDMAH(ジメチルアルミハイドライド)と、別原料DMEAA(ジメチルエチルアミンアラン)の2つの原料の、経時安定性、CVD-Al堆積特性等を比較し、量産化・大口径ウエハ用装置開発の為にはDMAH原料の方が優れているという見解を得た。 本研究は計画に沿って進展しており,超LSI多層配線用Al CVD装置開発の見通しは立っている。
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