研究概要 |
本研究では,サブ0.1umまでの極微細LSI多層配線構造の為のAI CVD技術の確立を目指した。平成10年度において,以下の研究を行った。 (1) 有機金属原料の大量供給法 本研究で主として用いる有機金属原料としては、DMEAA(ジメチルエチルアミンアラン)よりも、DMAH(ジメチルアルミハイドライド)の方が分解の速度、経時変化の点で優れている事を確認したが、DMAHは、粘性のある液体原料であり、化学気相成長(CVD)法において高速・大面積成膜させる為には安定な気化原料の大量供給が必要である。本研究では、液体のままウエハ直近まで輸送した後、大量に気化させて原料をウエハに供給する、DirectLiquid Injevtionシステムを用いた原料の供給システムを開発し、装置への装着をを検討した。実際にCVD-AIを成膜し、従来のバブリングによる供給法に比較し10倍の成膜速度が得られる事を確認した。 (2) クラスターAI CVD装置の設計・製作 Direct Liquid Injection(DLI)システムの装着を検討し、クラスタツールとしてメインチャンバー,搬送チャンバー,プラズマチャンバーと、各チャンバーの真空排気装置の組立を行い、トータルプロセスを通してCVD-Alを成膜できる事を確認した。 メインチャンバーにDLI供給装置を装着した。 以上により、大口径ウエハ対応、高速Al成膜を可能とするクラスターAI CVD装置としての製作の見通しが立った。
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