| 研究概要 |
本年度は,光導波路の作製のための微細加工プロセスについて検討するとともに,導波の作製を試みた。また,0.1ミクロン以下の記録を行う場合について,その記録状態が安定に存在しうるかどうかを計算機シミュレーションによって検討した。以下に本年度に行った研究成果をまとめる.
1) 導波路用の材料としてTa_2O_5膜を選定し,Ta_2O_5膜の成膜を高周波2極スパッタリンク装置によって行った。成膜は,Ar中およびAr+O_2プラズマ中で行い,プラズマ中の酸素濃度,スパッタ圧,また,成膜温度をパラメータとした。作製した膜にポジレジストを塗布し,ガラス基板上に形成したCrメッキの微細パターンを半導体用のマスクアライナーによって導波路パターンを焼き付けた。現像後,ECRプラズマエッチング装置によってArプラズマ中でエッチングを行ない,導波路を作製した。顕微鏡観察では,導波先端の幅は2μであった。
2) 計算機シュミレーションによってどの程度の小さな磁区が光熱磁気記録できるか,また,小さな磁区を書き込むためには磁気異方性の値やその温度特性がどのようなものであることが必要があるかなどについて検討を行った。磁区径が0.5μを切った場合には,シミュレーションにおいて磁壁幅を考慮する必要があることがわかった。その結果,光ビーム径を0.1ミクロンに絞ることによって0.15〜0.2ミクロンの微小磁区が書き込むことができることが明らかとなった。
|
