| 研究課題/領域番号 |
08555078
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
伊藤 太一郎 大阪府立大学, 工学部, 教授 (10081366)
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| 研究分担者 |
中村 孝 ローム(株), VLSI研究開発部, 研究員
神澤 公 ローム(株), VLSI研究開発部, 課長
藤村 紀文 大阪府立大学, 工学部, 助教授 (50199361)
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| キーワード | 強誘電体メモリー / MFSFET / YMnO_3 / 界面修飾 / Y_2O_3 / YbMnO_3 |
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| 研究概要 |
次世代の強誘電体不揮発性メモリーとして嘱望されている。MFS型FETの実用化に向けた検討を行った。現在我々が提唱しているMFS型FETのための物質は、YMnO_3であるが、実用化に向けていくつかの問題点が生じていた。大きなリ-ク電流、小さな残留分極である。
この原因を探るために、様々な角度から検討を行った。単結晶上やPt基板上に作成されたYMnO_3薄膜はデバイスとして十分に機能する0.2μC/cm^2程度の残留分極値を示すが、Si直上に成長させた試料においては結晶性が悪く残留分極を示さなかった。いくつかの界面修飾を検討した結果、還元状態のY-Mn-OやY_2O_3が界面層として結晶性の向上に効果があることがわかった。これらの界面層を付加することによって、Si表面のキャリアを制御できることが確認された。そのときのメモリーウインドウ幅は1.1Vであった。これらの試料を用いて詳細なC-V特性、パルス特性等の電気特性の検討を行った結果、MFS型FETの基本的な動作は確認されたもののいくつかの問題点を明らかにすることができた。一番大きな問題点は保持特性が悪いことである。リ-ク電流が原因と考えられる。そこでバルク試料を用いてリ-ク電流の原因を探った。その結果、リ-ク電流はMnの価数揺動に起因しており、またそれはAサイトをYbと置換すること、Zrのド-ピングによって低減することが明らかにされた。また、AサイトのYb置換によってプロセス温度の低下が確認された。YbMnO_3:Zrの薄膜化の検討を始めたところであるが、RMnO_3を用いたMFS型FETデバイスは実用化へ大きく前進した。
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