| 研究課題/領域番号 |
08555084
|
|---|
| 応募区分 | 試験 |
|---|
| 研究機関 | 静岡大学 |
|---|
研究代表者 |
畑中 義式 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (60006278)
|
|---|
| 研究分担者 |
冨田 康弘 浜松ホトニクス(株), 電子管事業部, 研究員
河合 敏昭 浜松ホトニクス(株), 電子管事業部, 部門長,研究員
中西 洋一郎 静岡大学, 電子工学研究所, 助教授 (00022137)
|
|---|
| キーワード | 固体X線画像検出器 / 高エネルギー放射線 / イメージングデバイス / 薄膜トランジスタ / CdSe / CdTeヘテロ接合 / ポジトロンCT / 即時性高解像度X線検出器 |
|---|
| 研究概要 |
本年度の研究は大別すると、1.ポジトロンCT用または硬X線用CT用の検出器として必要条件を満足する設計、2.固体感光層のCdTeとCdSeのヘテロ接合とTFT回路との融合の原理的動作の確認及び製作プロセスの確立、3.TFTスイッチ回路構成の設計及び作製プロセスの確立である。
当初はポジトロンCTの検出器としての必要条件を実験的に調査し、現在実用化されたCdSeとCdSとのヘテロ接合を用いたX線用イメージセンサーを基本としてCdSをCdSeに置き換えたときのヘテロ接合の作製方法を実験的に確かめた。MOCVD法を用いた薄膜作製を行い、基盤に垂直な一軸配向性多結晶ヘテロ接合膜を得た。ジメチルカドミウムとセレン化水素、もしくはジエチルテルルを原料としたCVDにより300℃程度の基板温度で良質の一軸配向多結晶膜が得られ、良好な光電特性を持つことが確かめられた。また、このようにして作製されたCdSe/CdTeヘテロ接合は熱処理により特性改善されることも確認された。TFT回路設計においては、上記ヘテロ接合による光電変換部と走差回路とが一体となった一次元のリニアー素子の設計を行った。ガラス基板上にクロムまたはタンタルゲート電極のパタ-ニングをしボトムゲートを形成した。次に絶縁層としてスパッタリングにより窒化シリコンまたは酸化シリコンを形成、タンタルゲートの場合はタンタルの酸化層を形成した。その上にTFTのドレイン及びソースをクロムによって形成し、その後上記MOCVD法でCdSeを成長した。CdSe/CdTeヘテロ接合X線受光層と組み合わせた評価は次年度行う。
|
