研究課題/領域番号 |
08555085
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研究機関 | 京都大学 |
研究代表者 |
小野寺 秀俊 京都大学, 工学研究科, 助教授 (80160927)
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研究分担者 |
松澤 昭 松下電器産業, 半導体研究センター, チームリーダ
小林 和淑 京都大学, 工学研究科, 助手 (70252476)
MOSHNYAGA Va 京都大学, 工学研究科, 講師 (40243050)
田丸 啓吉 京都大学, 工学研究科, 教授 (10127102)
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キーワード | MOSFET / ばらつきモデル / 統計的モデル化 / 比精度解析 / パラメータ抽出 / 統計的設計最適化 / 回路シミュレーション / 歩留り |
研究概要 |
1.ワ-ストケースパラメータの抽出法の開発 実設計における統計的解析の第一段階は、ワ-ストケース解析である。このために必要なワ-ストケースパラメータを導出する手法を確立した。回路特性の変動を物理パラメータ変動の一次で表現し、ワ-ストケースを与える物理パラメータを求め、この値よりワ-ストケースのモデルパラメータ値を計算した。ワ-ストケース解析の結果は、モンテカルロ解析の結果と良い一致を見た。 2.レイアウトを考慮したCMOS回路の比精度解析 比精度解析のためのトランジスタ特性のモデル化手法を検討した。モデル化にあたり、トランジスタゲートの仕上がり寸法に大きく影響するマイクロロ-ディング効果のモデル化も行った。モデルパラメータを抽出するためのTEG構造を明らかにし、実際に抽出実験を行った。 3.コマンド言語による統計解析CADの開発 本研究で開発した微細MOSFETの統計モデルを実設計の中で活用するために、ばらつき解析や統計的処理を設計者の要求に合わせて柔軟に定義できるCAD環境を開発した。
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