| 研究課題/領域番号 |
08555186
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小宮山 宏 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (80011188)
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| 研究分担者 |
反田 哲史 三菱電機(株), 先端技術総合研究所, 研究員
結城 昭正 三菱電機(株), 先端技術総合研究所, 主幹研究員
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| キーワード | 太陽電池 / ケミカル・ベ-パ-・デポジション / 原料リサイクル / クロロシラン類 / 多結晶シリコン / エッチング |
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| 研究概要 |
太陽電池発電層形成のための多結晶シリコンCVD法を対象として、原料ガスのリサイクル法を確立し、従来プロセスと比較してより低コストで高効率のCVDプロセスを構築することを目指した。
平成9年度は、前年度に引き続いて、外熱型CVD装置で、原料としてトリクロロシラン(SiHCl_3)、四塩化珪素(SiCl_4)の2種類のクロロシラン類を用いて成膜実験を進め、反応器出入口におけるクロロシラン類のマスバランスから、気相反応に関する知見を収集した。さらに金属シリコン粉末のクロロシラン類によるエッチング実験を成膜実験と平行して行い、エッチング速度の解析を進めた。
また、Si/H/Cl系の熱力学的平衡計算を行い、成膜実験やガスクロマトグラフによる分析結果と比較検討を行った。これらの解析の結果、クロロシラン類を原料に用いたCVD反応が極めて平衡状態に近い領域での現象であることが判明した。よって、平衡を制御することで、シリコンの成長とエッチングを制御することが可能であり、こうしたSi/H/Cl系の特性に基づき、エッチング反応を利用して原料を再生・リサイクルする新しい太陽電池作製プロセスを提案した。
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