1.不純物散乱による弾性散乱の効果をボルツマン輸送方程式の形で取り入れて計算するプログラムを開発した。このプログラムを用いることで、強磁場下の半導体量子細線中における非平衡電流分布を計算することが可能となった。現時点では予備計算を続けている状況であるが、磁場、電流量、不純物濃度、温度、細線幅、線電荷密度などのさまざまなパラメータを系統的に変化させて計算を行い、その計算結果を詳細に解析することで量子ホール効果状態におけるバルク電流とエッジ電流との混成の問題を解明する計画である。 2.極低温(250mK)で細線幅の広い場合(2μm)の強磁場下(10T)での半導体量子細線の電子状態を計算することが可能となった。求めるべき電子状態は、デルタ関数的なランダウ準位がフェルミエネルギーにべったりと張り付くような特殊な状況となるので、セルフコンシステントな解を求める収束計算は当初の予想をはるかに超える大規模なものが必要とされる。現在も数値計算を続行している状況であるが、最終的な計算結果を詳細に解析し、従来まで考えられてきたChklovskiiらのモデル結果との相違点を明らかにする計画である。 3.強磁場領域におけるコンダクタンスを、リカ-ジョン法とランダウア-公式を用いた数値計算により求めた。有効閉じ込めポテンシャルのモデルとして、無限障壁ポテンシャル、放物線型ポテンシャル、及び自己無撞着ポテンシャルを用いて計算を行い、コンダクタンスの有効閉じ込めポテンシャルの違いによる相違点を明らかにした。
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