|
本研究は、準一次元とみなせるような物理系の諸物性を、共形場の理論、ボゾン化法、厳密解の方法などを用いて系統的に研究することを目的としている。本年度は(i)1次元強相関電子系における乱れの効果、(ii)量子細線のコンダクタンスに対するウムクラップ散乱の効果、に関して研究を行なった。
(i)乱れた1次元電子系おけるアンダーソン局在とモット転移の競合
1次元電子系のモット転移とアンダーソン局在の競合を、ボゾン化法と繰り込み群を用いて議論した。乱雑ポテンシャルによる前方散乱が十分強くなるとハバ-ドギャップが消失し、さらに不純物の後方散乱によってアンダーソン局在状態に転移する様子が示された。また、スピンギャップを持ったモット絶縁体に対する乱雑ポテンシャルの効果を調べた。不純物の前方散乱が強くなると電荷およびスピンギャップが抑制される。あるパラメタ領域では電荷の2つのモード内、1つだけギャップが壊され、残りの1つの電荷のモードと2つのスピンモードがmassiveになる状態が実現する。このとき、不純物散乱による後方散乱が十分弱ければ、スピンギャップを持った金属状態が実現することが分かった。
(ii)量子細線のコンダクタンスに対するウムクラップ散乱の効果
1次元電子系のコンダクタンスに対する電子間相互作用のウムクラップ散乱の効果を調べた。外部ポテンシャルの繰り込みの効果を考慮しても、T=0において量子化コンダクタンス2e^2/hに対する補正が生じることが示された。コンダクタンスの温度依存性、およびシステムサイズ依存性の表式を求めた。
|
