| 研究概要 |
GaP(100)基板上への無機塩化物CuCl、有機金属塩化物(C_2H_5)_2GaClおよび硫化水素を原料としたCuGaS_2のエピタキシャル成長を原料交互供給条件下で行った結果、次のことが明らかになった。
金属原料(CuCl,(C_2H_5)_2GaCl)と硫化水素交互供給条件下では供給サイクルあたりc軸方向の格子定数の1/8即ち1/2単分子層厚のC軸配向成長が、また核原料完全分離交互供給条件下では成長には金属原料供給の間に硫化水素を供給することが必要で、この条件下では供給サイクルあたり単分子層厚のc軸配向成長が起こることが分かった。これらの事実は原子層エピタキシャル成長に対応すると見なされる。即ち、一回の原料供給が一原子層に対応する厚さを成長させていると考えられ、かつ成長には二種類の金属原子の供給の間に硫黄の原子の供給が必要である。このことは、CuGaS_2の成長には二種類の金属原子の間で原子再配列が生ずることを示唆している。
さらに、原料完全分離下で銅原料(CuCl)供給に亜鉛供給を時間的に重ねた場合とガリウム原料((C_2H_5)_2GaCl)供給に亜鉛供給を重ねた場合とでは亜鉛に関連したルミネッセンスの発生に大幅な違いが認められたが、置換サイトの選択が生じているかどがうかを決定するには上述の原子再配列の問題と合わせて更に検討の必要がある。
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