| 研究課題/領域番号 |
08650034
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
坂上 弘之 広島大学, 工学部, 助手 (50221263)
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| 研究分担者 |
新宮原 正三 広島大学, 工学部, 助教授 (10231367)
高萩 隆行 広島大学, 工学部, 教授 (40271069)
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| キーワード | 水素終端シリコン表面 / ステップ / テラス構造 / 平坦化処理 / Al微細構造 / DMAlH / 選択反応 |
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| 研究概要 |
基板表面に形成された局所的な化学構造分布に起因する反応性の違いを利用して、基板表面にアルミニウムの極微細構造を形成することを試みた。異なる化学構造分布を持つ表面として、NH_4F溶液で平坦化処理したSi(111)基板表面を用いた。このNH_4F処理表面はステップ/テラス周期構造を有しており、結晶学的にはSi-H_2構造はステップ端にのみ存在し、それ以外はSi-H構造になっている。この表面上にDMAlH(AlH(CH_3)_2)を反応させて形成したAlドットの形成位置分布を調べた。その結果、ランダム反応を想定した場合に10%になるのに対し、約50%のドットがステップ部から形成されており、ステップ端から優先的に反応することがわかった。
さらに、我々が開発した加熱NH_4F処理によりステップ端にSi-H2構造が原子オーダーで配列したSi(111)表面を形成し、Al細線構造の形成を試みたが、ステップ端へのAlの形成は不均一となり細線状構造は形成できなかった。この理由は、DMAlHの導入前に真空中で反応温度まで昇温する際に、ステップ端の一部の水素が脱離し、残留成分により汚染されDMAlHとの反応性が失われたためと考えられる。これを回避するために、残留成分量を低下させた超高真空反応室内での実験を計画している。
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