| 研究概要 |
表記課題に対し以下の実績を得た。
1.エピタキシャルリフトオフ技術;GaAs基板エッチング法によるGaAs素子の剥離方法及び低融点共晶合金Au-Su(80-20%)によるGaAsの素子の弾性波基板へのボンディング方法を確立しました。これらの新しい方法の特徴として,剥離時間が短縮可能,ボンディング界面の汚染が低減、GaAs素子両面電極を活用する新たな機能素子の実現が可能であることが挙げられる。
2.新原理素子;高温での水晶の相転移現象を利用した温度補償センサ及びゴム系材料を感応膜とした弾性波ガスセンサを提案し、実験的にその有効性を確認した。
3.複合素子集積化技術;2層ポリイミドを利用したGaAs素子のハンドリング手法により剥離されたGaAsのフィルムにパターンニングすることが可能となり,そして半導体素子をより正確に弾性表面波素子基板上に集積化することができた。
4.機能素子;半導受光素子、タイミングタンク回路及びGaAsMESFETをLN基板にモノリシックに組み込んだ受光回路を考案、設計した。回路の試作を進めている。
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