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1997 年度 研究成果報告書概要

電気化学QCM法による水溶液中における金属表面反応機構の研究

研究課題

研究課題/領域番号 08650868
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 金属生産工学
研究機関名古屋大学

研究代表者

興戸 正純  名古屋大学, 理工科学総合研究センター, 教授 (50126843)

研究分担者 黒田 建介  名古屋大学, 工学研究科, 助手 (00283408)
市野 良一  名古屋大学, 工学研究科, 講師 (70223104)
研究期間 (年度) 1996 – 1997
キーワード電気化学QCM / その場観察 / 金属表面反応 / ポーラスNi正極 / カルコゲン / 金浸出 / カソードインヒビター
研究概要

電気化学的水晶振動子マイクロバランス(EQCM)法により,金属電極表面の反応機構について検討した。結果は以下の4つに分けられる。
(1)Ni電極およびNi-Zn合金中のZnを浸出したNiポーラス電極のサイクリックポルタモグラムをpH12KOH水溶液中で行った。両電極とも電位及び電流値に違いがみられたが,CVの形状は同じであった。また,サイクル数の増加とともに両電極とも重量増加がみられ,基板上に活物質が増加していった。しかし,ポーラスNi電極では,Ni電極にみられない質量の増加-減少電位部がみられた。このことが,ポーラスNi電極がNi電極よりも高活性化する理由の1つではないかと思われる。
(2)酸性硫酸浴中からのCuInX_2(X=Se,Te)半導体化合物の電析中のカルコゲンの還元挙動について検討した。Se,Teの還元挙動は,反応電位に違いがみられるものの,同じメカニズムで還元挙動がみられた。まず,X単体元素として0価に還元析出した後,さらに-2価にまで還元され,析出物が溶出した。CuInX_2(X=Se,Te)半導体化合物の電析中の挙動は,Cu-X合金が析出した後に合金中のXがX^<2->として溶出した。その後,InとX^<2->が反応してIn-X合金が生成し,最終的にCuInX_2化合物が電析する事がわかった。
(3)青化法によらない新しい金のリーチング法として,アルカリチオ尿素溶液中からの金の溶出法について検討した。その結果,亜硫酸を添加することによって溶出能が向上することがわかった。アノード電位が高すぎるとチオ尿素が酸化されてしまうため,有効な電位が存在することがわかった。
(4)腐食抑制剤のZn/PO_4^<3->系カソードインヒビターの金属上への吸着・成膜挙動について調べた。EQCMから得られる重量変化を用いて皮膜厚さを求めたところ数十nmであり,AFM観察により,皮膜は均一に表面に形成していた。カソード分極下において吸着・成膜現象が急速に生じる場合と緩やかに生じる場合がみられた。

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公開日: 1999-03-16  

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