| 研究概要 |
最近の研究によりク-パ-ペアの対称性は多くの酸化物超伝導体に対してd波であることが強くなった。ペアの対称性がd波のように異方的であるときには,準粒子が進行方向によって異なるペアポテンシャルを感じる。その結果非常に新しい干渉効果が期待される。高温超伝導体の低エネルギー励起を表す代表的なモデルであるt-Jモデルを用いることで磁束の芯での準粒子の状態密度を求めた。この研究は東京大学の小形研究室の姫田,小形,電総研の柏谷との共同研究で行った。強相関の性質を取り入れるために,Gutzwillerの変分法を用いた。求められた磁束芯での局所状態密度は,オーバードープの領域ではエネルギーゼロでピークを持つ。それに対して,アンダードープの領域ではゼロエネルギーに形成されているピークが2つに分裂することが明らかになった。以上の結果は定性的にFisherらの実験を説明する。一方我々は関連した研究としてd波超伝導体の表面状態の研究も行った。実際のサンプルを碧開した試料を用いる実験では必ずしも界面がフラットとはいえず原子尺度のランダムネスが存在する。このような場合には準古典近似の予測はかならずしもなりたたない。本研究ではタイトバインディングモデル(拡張型ハバ-ドモデル)を用いることで,さまざまな界面(表面)近傍の状態密度をスーパーユニットセルの方法で行った。その結果,見かけ上[110]の表面に対してゼロバイアスのピークのないデータが存在することもあることを示した。一方,ほとんど[100]の表面でも原子尺度でのでっぱりの近くで,ゼロバイアスが存在することが予測された。
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