シリコン超微粒子発光メカニズムに関する研究

1996 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 08750375
• 研究機関: 九州工業大学
• 研究代表者: 孫 勇 九州工業大学, 情報工学部, 助手 (60274560)
• キーワード: microcrystalline Silicon / oriented growth / hydrogen plasma / ion bom baxdment effect / sputtering / silicon carbide

研究概要

本研究では水素プラズマスパッタリング法を用いてシリコン超微粒子を作製した。シリコン超微粒子の形成メカニズムを解明するために、まず超微粒子膜に対するプラズマ中の水素イオンの役割を明らかにした。実験結果によると、水素イオンの超微粒子膜へのしょう突は超微粒子形成の需要条件である。さらに、シリコン超微粒子形成中の配向メカニズムを明らかにした。作製温度などの作製条件に依存する以外、シリコン超微粒子の配向はシリコン結晶自身の結晶学性質によって決まる。その決まる要因は二つある。一つは安定結晶核の形成確率である。もう一つは結晶核成長段階にある成長速度である。この成長速度は主に結晶核でのプラズマ粒子の吸着確率によって決まる。さらに、Cの導入によって、シリコン結晶粒はどう変わるかについても研究した。

研究成果

• [文献書誌] Yong SUN: "Study of Hydrogen Ion Bombardment Effect on the Growth of Si : H Films Prepared by Hydrogen Plasma Sputtering of Silicon" Jpn.J.Appl.Phys.35・7B. L869-L872 (1996)
• [文献書誌] N.SONODA,Yong SUN: "Low-Temperature Growth of Oriented Silicon Cavbide on Silicon by Reactive Hydrogen Plasma Sputtering Technique" Jpn.J.Appl.Phys.35・8B. L1023-L1026 (1996)
• [文献書誌] N.SONODA,Y.WATARI,Yong SUN: "Observation of the Formation Processes of Hollow Voids at the Interface between Sic Films and Si Substrate" Jpn.J.Appl.Phys.35・12B. L1655-L1657 (1996)
• [文献書誌] Yong SUN: "Possible Origin for(110)-Oriented Growth of Grains in Hydrogenated Microcrystalline silicon films" Appl.Phys.Lett. 70.4. 508-510 (1997)
• [文献書誌] N.SONODA, Yong SUN: "Evidence for the Appearance of Carbon-rich Layer at the Interface of Sic Film/Si Substrate" J.Vac.Sci.Technol.A15・1. 18-20 (1997)