| 研究課題/領域番号 |
08875062
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 工学系研究科, 助教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
西永 頌 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (10023128)
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| キーワード | 半金属 / ErAs / 半金属 / 半導体ヘテロ構造 / 分子線ユピタキシ- / 共鳴トンネル現象 / 埋め込みヘテロ構造 / テンプレート / 金属超薄膜 |
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| 研究概要 |
(1)半金属(ErAs)/半導体(GaAs/AlAs)超薄膜ヘテロ構造の形成
まず半金属として、高温において熱的安定性がありAlAs/GaAsとの相互拡散や反応がなく熱力学的に安定な界面を形成することのできるErAsを選び、ErAs/AlAsの金属/半導体複合ヘテロ構造をMBE法によって作製した。基板としてGaAsを用いGaAs/AlAs/ErAs/AlAs/GaAsの金属埋め込みダブルヘテロ構造を形成し、ErAs膜厚の原子レベルでの制御性を達成した。これによって、厚さ1原子層〜数10原子層のエピタキシャル金属超薄膜を半導体中に作製することができた。
(2)ErAs/AlAs/GaAs埋め込みヘテロ構造の構造評価
MBEに付属している反射高エネルギー電子線回折(RHEED)装置を用いて成長中その場(in situ)観察を行い、表面のラフネスや結晶配位等も含め、(1)半導体上の金属のエピタキシャル成長過程および、(2)金属上の半導体のエピタキシャル成長過程を詳細に調べた。特に、金属上の半導体のエピタキシャル成長において問題となる3次元成長を抑制するためには、Mn1原子層のテンプレートを界面に挿入することが有効であることを示した。
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