| 研究課題/領域番号 |
08F08373
|
|---|
| 研究機関 | 東京工業大学 |
|---|
研究代表者 |
岩井 洋 東京工業大学, フロンティア研究センター, 教授
|
|---|
| 研究分担者 |
MILAN Kumar Bera 東京工業大学, フロンティア研究センター, 外国人特別研究員
|
|---|
| キーワード | Ge / MOSFET / 希土類酸化物 / La203 / EOT / Sc203 / モビリティ / ゲート絶縁膜 |
|---|
| 研究概要 |
希上類酸化物La203を主な成分とした高誘電率絶縁膜をゲート絶縁膜に用いたMOSFETトランジスタではSiO2換算膜厚(EOT)を0.5nm以下にまで小さくできることが東京工業大学岩井グループの研究結果から明らかになっている。そこで、高いモビリティが期待できるGeをチャネルに用いたデバイスにこのような希土類酸化物La203を主な成分とした高誘電率膜を絶縁膜として用いれば優れた高性能のデバイスの実現が可能と期待されるため、本研究ではLa203を主な成分とした希土類酸化物などの高誘電率酸化物をゲート絶縁膜にもちいたGeデバイスの作製およびその電気的且つ物理的評価によるプロセス最適化により、高性能Geデバイスの実現を図ることを研究目的とし、研究を進めている。希土類酸化物をGeデバイスのゲート絶縁膜に用いるためにはデバイス作成に適した熱安定性および界面特性を得ることができる希上類酸化物のGe基板上への成膜技術の確立が必要であり、平成20年度の後半に始まった本研究において、平成20年度中は主に(1)Ge基板の洗浄技術の確立(2)希土類酸化物のGe基板上の成膜方法の検討(3)希土類酸化物のGe基板上で熱安定性およびその改善策の検討(4)希土類酸化物とGe基板の界面特性の評価およびその界面特性の改善について検討などの課題について研究を行った結果、La203とSc203の混合膜からなる高誘電率酸化物をゲート絶縁膜にもちいたGeデバイスの作製およびトランジスタ動作確認に成功し、本研究においてのデバイス作成プロセスの確立が実現できた。
|
