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2009 年度 実績報告書

低温大気中接合によるウエハスケール3次元集積化に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 08F08386
研究機関東京大学

研究代表者

須賀 唯知  東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授

研究分担者 王 英輝  東京大学, 大学院・工学系研究科, 外国人特別研究員
キーワードウエハ接合 / 金属薄膜 / 表面活性化 / 表面酸化
研究概要

本研究では、150℃の低温、かつ大気中ないしは不活性ガス雰囲気中での金属薄膜を介したウエハ接合の可能性を検証し、具体的な例について、プロセス条件の確立することを目的としている。具体的な研究は、これらの金属の酸化過程の詳細な解析および実験的な比較検証から構成する。さらに具体的には、XPS分光分析による酸化過程の評価、およびこれらの薄膜を用いた4インチSiウエハの接合実験を行う。以上の結果から、ウエハスケールの3D集積化プロセスの基盤技術を確立することを目指すものとする。
本年度は、ウエハの接合にあたり、応力の分布に応じた接触を確保するための金属薄膜のパターニングを検討した。これにより、周辺部の不均一な応力分布が緩和され、一様な接合が可能になる可能性が示された。そのためのシミュレーションをFEM解析によって行い、金属薄膜の厚さの影響、微細バンプパターンの影響を定量的に検証した。実験はAuの薄膜を対象として行い、めっきバンプ、およびスパッタ膜のエッチングパターンの2種について行い、接合実験については、前年度の知見による最適な接合条件で検証を行った。また、この際の塑性変形の影響をあわせて解析した。これらの実験を通じて、ウエハの金属薄膜を介した接合のプロセス条件を確定し、低温接合や大気圧条件下での接合の可能性の検討を始めている。

  • 研究成果

    (4件)

すべて 2010 2009

すべて 学会発表 (4件)

  • [学会発表] Low Temperature/Room Temperature Bonding of Si Wafer in Ambient Air and N_22010

    • 著者名/発表者名
      王英輝
    • 学会等名
      2nd International IEEE Workshqp on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      20100119-20100120
  • [学会発表] Low Temperature Bonding of Ge for Infrared Detectors2010

    • 著者名/発表者名
      倉山竜二
    • 学会等名
      2nd International IEEE Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      20100119-20100120
  • [学会発表] 表面活性化によるGeウェハの常温接合2009

    • 著者名/発表者名
      倉山竜二
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山
    • 年月日
      20090908-20090911
  • [学会発表] Low-temperature Wafer Bonding Using Gold Layers2009

    • 著者名/発表者名
      王英輝
    • 学会等名
      International Conference on Electronic Packaging Technology & High Density Packaging(ICEPT-HDP)
    • 発表場所
      Beijing,China
    • 年月日
      20090810-20090813

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公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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