研究課題
一軸性圧力実験に先立って、Sr2RuO4およびそれを含む共晶体の常圧での超伝導特性について調べた。磁場強度・磁場方向を精密に制御した磁気測定から、Sr2RuO4の超伝導上部臨界磁場Hc2の温度と磁場方位依存性を調べ、磁場が伝導面から5度以内の方向に印加された際にHc2の異常な振る舞いが顕著に観測されることを明らかにした。Sr2RuO4-Ru共晶系(3-K相)については、低磁場精密磁気測定を行い、3-K相超伝導による磁場遮蔽率が直流磁場には強固だが、交流磁場には敏感に抑制されること、Ru金属の配置には関係なくSr2RuO4のRuO2面に沿って発達し易い特徴を持つことを明らかにした。また、Sr3Ru2O7-Sr2RuO4共晶系については、電気抵抗の電流方向依存性を調べ、共晶結晶のSr3Ru2O7の領域に埋まっている超伝導を示す部分はRuO2面に平行な薄板状であることを示した。これらの実験により、一軸性圧力効果を調べる上で重要となるそれぞれの物質の常圧での超伝導特性をより明確にした。超伝導転移温度が1.5KであるSr2RuO4の一軸性圧力効果を研究するためには、超伝導転移温度以下の温度まで測定可能な圧力実験環境が必要である。そこで、一方向に圧力を印加した上で0.3Kの低温まで交流磁化率測定が可能な実験技術を自ら開発した。現在、この実験技術を用いて、Sr2RuO4及びそれを含む共晶体の一軸性圧力効果について研究を行っている最中である。
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