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1998 年度 研究成果報告書概要

固体1溶液界面層の極微構造と超高速ダイナミクス

研究課題

研究課題/領域番号 09044045
研究種目

国際学術研究

配分区分補助金
応募区分共同研究
研究分野 機能・物性・材料
研究機関北海道大学

研究代表者

魚崎 浩平  北海道大学, 大学院・理学研究科, 教授 (20133697)

研究分担者 SHEN Y.R.  カリフォルニア大学バークレー校, 教授
OCKO B.M.  ブルックヘブン国立研究所, 主席研究員
TADJEDDINE A  国立科学研究所, LVRE副所長
叶 深  北海道大学, 大学院・理学研究科, 助手 (40250419)
近藤 敏啓  北海道大学, 大学院・理学研究科, 助手 (70240629)
TADJEDDINE Abderrahmane  LURE-CNRS,Deputy Director
研究期間 (年度) 1997 – 1998
キーワード電気化学 / シンクトロン放射光 / 表面X線散乱 / 非線形分光法 / X線定住波 / 半導体電極 / 電析 / X線吸収分光
研究概要

本研究では、STMやAFMに加えてシンクトロン放射(SOR)光を利用した表面X線散乱(SXS)、X線定在波(XSW)及びX線吸収分光(XAS)により固体/溶液界面の3次元構造を原子・分子レベルで解析し、二次高調波発生(SHG)/和周波発生(SFG)といった超高速非線形分光により固体/溶液界面反応プロセスを超短時間領域に拡大して詳細に追跡し、両者の結果を総合的に検討することによって固体/溶液界面反応を厳密に理解することを目的として行った。
具体的には、
1. 野口がブルックヘブン国立研究所にて、Ocko博士、Zegenhagen博士と共同してXSWによる半導体/溶液界面の研究を行った。
2. 魚崎がマックスプランク研究所を訪問し、1の解析を行った。その後フランス国立科学研究所(CNRS)のTadjeddine博士の研究所で自由電子レーザーを用いるダイナミクスに関する研究を行った。
CNRSでの実験には、叶、八木、野口も参加した。更にその後カリフォルニア大学バークレー校で魚崎と近藤がShen教授と共同してSFG実験を行った。
3. 魚崎がマックスプランク研究所を訪問し、XSWに関する研究打ち合わせをZegenhagen博士と行い、その後ポルトガルで行われた国際会議で成果発表を行った。
4. 魚崎がアメリカ電気化学会において成果発表を行い、その後ブルックヘブン国立研究所で研究打ち合わせを行った。
5. Ocko博士、Tadjeddine博士を招へいし、SOR光実験(於Spring8)および非線形分光測定(北大)について共同実験を行った。
6. 魚崎と山田がブルックヘブン国立研究所を訪問して共同実験を行い、ついで魚崎がフランス国立研究所でダイナミクスに関する共同実験を行った。
7. 叶、野口がアメリカ電気化学会において成果発表を行った。

  • 研究成果

    (10件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (10件)

  • [文献書誌] K.Uosaki: "In Situ Observation of the Anodic Dissolution Process of p-GaAs (100) in HCI solution by surface X-ray Diffraction" Journal of Electroanalytical Chemistry. 429. 13-17 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] T.Kondo: "Coverage Dependant Structure of Electrochemically Deposited Cu on P-GaAs(100) in H_2SO_4 Solution Determined by in situ surface X-ray Absorption Fine Structure Spectra" Chemistry Letter. 8. 761-762 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Uosaki: "Structure Study of Electrochemically Deposited Cooped on P-GaAS (001) by Atomic Force Microscopy and Surface X-ray Absorption Fire structure Measurement" Applied surface science. 121/122. 102-106 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] S.Wei: "Local Structures of Isovalent and Metrovalent Dilute Impurities in si Crystal Probed by Fluorescence X-ray Absorption Fire Structure" Journal of Applied Physics. 82. 4810-4815 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] G.Scherb: "In Situ X-ray Standing-wave Analysis of Electrodeposited Cu Monolayers on GaAs (001)" Physical Review B. 58・16. 10800-10805 (1998)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [文献書誌] K.Uosaki, et al.: "In Situ Observation of the Anodic Dissolution Process of p-GaAs (100) in HCL Solution by Surface X-ray Diffraction." Journal of Electroanalytical Chemistry. 429. 13-17 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] T.Kondo, et al.: "Coverage Dependant Structure of Electrochemically Deposited Cu on p-GaAs (100) in H_2SO_4 Solution Determined by In Situ Surface X-ray Absorption Fine Structure Spectra." Chemistry Letters. No.8. 761-762 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] K.Uosaki, et al.: "Structure Study of Electrochemically Deposited Copper on p-GaAs (001) by Atomic Force Microscopy and Surface X-ray Absorption Fine Structure Measurement." Applied Surface Science. 121/122. 102-106 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] S.Wei, et al.: "Local Structures of Isovalent and Heterovalent Dilute Impurities in Si Crystal Probed by Fluorescence X-ray Absorption Fine Structure." Journal of Applied Physics. 82. 4810-4815 (1997)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より
  • [文献書誌] G.Scherb, et al.: "In Situ X-ray Standing-wave Analysis of Electrodeposited Cu Monolayers on GaAs (001)." Physical Review B. 58, No.16. 10800 (1998)

    • 説明
      「研究成果報告書概要(欧文)」より

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公開日: 1999-12-08  

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