研究課題
1.試料作製原子層エピタキシ-法とビームリソグラフィー技術により試料作製を行った。幅が20-30nmの量子細線構造、および、周期150nm幅が25nmチタン/金電極を用いたスプリットゲート法による試料を作製した。これは報告されている試料の中では最小の周期を持つものであり、電子相互作用の観測に適したものと考えられる。2.測定輸送現象の測定により閉じ込め構造中の電子密度を測定した。また、強磁場下の光学スペクトルの測定を試料温度を1.9Kから150Kの範囲で行ない、量子閉じ込め構造中の電子密度分布に関する知見を得た。3.理論解析実験に使用した試料形状を再現するようなモデル計算をハートレー近似の範囲で行い、電子密度分布を解析した。得られた結果は測定の結果をよく再現した。
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