研究課題
本研究において、SiGeをSfウェハ上に、エピタキシャルに、MBE法で成長させたトンネル素子について、Insec程度の短いパルス電子を流し、トンネル電流によって共鳴的に発生するフォンパルスを起伝導ボロメータによって検出する事によって、トンネル素子におけるトンネル電流とフォノン系との相互作用を調べる方法を確立する事であったが、SiGe膜については、まず、トンネル効果を明確に示すサンプルが、なかなか、成功しない事がわかり、その他りとして、ガリウムヒソによる素子を入手する事によって、このGaAs/GaAlAs構造については、共鳴する事を見出す事が可能となった。しかし、定量的なデータを得るまでには至らなかった。今後の課題として、SiGe系のトンネル素子の入手がやはり重要と思われる。SiGe系は、格子定数のミスマッチによる、大きな歪が本質的に重要な役割をはたしているので、この方法によって、電子系とフォノン系の相互作用を調べたい。
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