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本研究では、外づけのシャント抵抗によってエネルギー散逸をコントロールしたときの単一の微小トンネル接合の挙動を調べた。まず、試料を作成する技術の開発をおこなった。二層レジストを用いた電子線ビームリソグラフと二軸回転の斜め蒸着を組み合わせて行うことにより微小ジョセフソン接合近傍にシャント抵抗を付加した試料を作成することに成功した。接合の抵抗値を量子抵抗より十分高くし、シャント抵抗を量子抵抗より十分低くした試料で極低温の電気伝導の測定したところ、シャント抵抗がないときには、それ自身では絶縁体的挙動をする接合がシャント抵抗を付加することで超伝導性を明らかに回復するのを示すことができた。これは、ジョセフソンの位相空間における巨視的量子トンネルがシャント抵抗によって抑庄されたことを明確に表している。さらに詳しく調べるために、接合抵抗は同一であるが、シャント抵抗の値を変えた数個の試科を作成して抵抗の温度依存性を調べたところ、シャント抵抗値が量子抵抗値よりも高いところでは絶縁体的、低いところでは超伝導的な挙動を示すことを明らかにした。同じ試料に磁場をかけ、超伝導・絶縁体転移の相図を調べたところ、細かい相違は見られたもののほぼ理論的相図を再現した。
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