| 研究概要 |
単結晶ニッケルの内殻光電子分光における磁気直線二色性から、内殻励起状態の合成軌道角運動量を明らかにした。これとスピン分解光電子分光の結果を比較して内殻励起状態について詳しく議論した。一方、価電子帯光電子分光の磁気直線二色性及び磁気円二色性を測定し、スピン軌道相互作用の結果であるバンド分散の各点における軌道角運動量の寄与を明らかにした。
遷移金属を含む強磁性規則合金や強磁性化合物の内殻光吸収(XAS)の磁気円二色性(MCD)を解析し、磁気モーメントに対するスピン及び軌道角運動量の寄与を分離した。この結果をバンド計算の結果と比較し、さらに軌道角運動量の寄与が大きくなるための条件について議論した。
一方、物質構造科学研究所において磁性化合物の高分解能光電子分光の温度変化を測定し、磁気相転移や構造相転移,電荷整列転移時のスペクトルの変化を測定した。これを用いて相転移に伴う電子状態の変化を議論した。また、光エネルギーを変えながら光電子分光を測定することで各元素の各軌道の状態を分離した。
さらに、磁性体単結晶薄膜およぴ超格子の電子状態を解明するために、単結晶超格子を作成・評価するための機器整備、調査研究を現在行った。これまでに基本的な真空槽と排気系に加え、蒸着源、Auger元素分析、低エネルギー電子線回折装置を整備した。これを用いて、単結晶基板の清浄化や蒸着についての試験的な研究を行った。
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