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1997 年度 実績報告書

高性能電解コンデンサーのためのAl-(Ti,Nb,Ta)複合酸化物皮膜の形成

研究課題

研究課題/領域番号 09237205
研究機関北海道大学

研究代表者

高橋 英明  北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70002201)

研究分担者 坂入 正敏  北海道大学, 大学院・工学研究科, 助手 (50280847)
黒川 一哉  北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (00161779)
キーワードアルミニウム / 電解コンデンサー / ポア-フィリング / CVD / アノード酸化 / 複合酸化物皮膜
研究概要

本研究は、アルミニウム上に生成するアノード酸化皮膜中にTiO_2,Ta_2O_5,Nb_2O_5などを混入させ、これらとAl_2O_3との複合酸化物を形成することにより、誘電率の大きな酸化物皮膜を形成し、新しいタイプのアルミニウム電解コンデンサーの開発を目指しているが、本年度においては、CVD/アノード酸化を組み合わせた方法により、この複合酸化物皮膜の生成を試みた。得られた主な研究成果は、次のようである。
1.TiO_2をCVDにより、温度300°Cおよび400°Cに保ったアルミニウム上に形成すると、TiO_2皮膜の成長速度は温度が高いほど大きい。また、生成した皮膜は多孔質であり、無定型である。
2.TiO_2皮膜をコーティング後、400°Cで空気雰囲気中加熱処理を行うと、TiO_2は結晶化してアナターゼ型の結晶構造を示す。
3.TiO_2皮膜をコーティングした試料を、中性のホウ酸塩溶液中で定電流アノード酸化を行うと、TiO_2皮膜/素地金属界面に二層構造を示す酸化皮膜が生成する。外層は、Ti/Al-複合酸化物層であり、内層はAl_2O_3層からなる。
4.CVD/加熱処理/アノード酸化により得られた複合酸化物皮膜は、通常のアノード酸化により得られる皮膜に比べて約65%大きな電気容量を示す。

  • 研究成果

    (1件)

すべて その他

すべて 文献書誌 (1件)

  • [文献書誌] M.Shikanai et al: "Formation of Al/CTi,Nb,Ta)-Composite Oxide Films on Aluminum by Pore Fin" J.Electrochem.Soc.144. 2756-2766 (1997)

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公開日: 1999-03-15   更新日: 2016-04-21  

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