| 研究課題/領域番号 |
09305003
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
竹田 美和 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
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| 研究分担者 |
原田 仁平 理学電機(株), X線研究所, 研究員
野々垣 陽一 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40300719)
田渕 雅夫 名古屋大学, 工学部, 講師 (90222124)
藤原 康文 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (10181421)
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| キーワード | 表面 / 界面 / 1原子層 / 結晶構造 / ヘテロ成長 / 制御 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、半導体界面の1原子層及び表面の1原子層の結晶構造をその場で測定・解析できる手法を確立し、半導体に限らず、ヘテロ構造の成長を制御し、従来の半導体/半導体ヘテロ構造では考えられない量子機能を発現させることである。本年度の実績の概要を以下に示す。
1.緊急性のある系(例えば、ZnSe/GaAs系レーザの劣化機構である界面積層欠陥の発生原因の解明、高密度の転位が今後の展開への障害となるGaN/サファイアにおける窒化層あるいは低温バッファ層の構造解析は、本年度放射光を用いた従来型の測定系を用いて行った。その成果はそれぞれ化合物半導体国際会議(米国、サンディアゴ)、窒化物半導体国際会議(徳島)で報告した。論文は投稿中である。
2.試験研究(B)で購入した原子層制御成長装置によって、より複雑な構造を持った系としてErP/InP系を作製し、STM及びCTRによる測定を行っている。
3.X線導入窓を有する減圧反応装置とゴニオメータについては、設計・作製をおこなった。本装置による個別の測定及び操作を来年度行う予定である。
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