| 研究課題/領域番号 |
09305003
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
竹田 美和 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20111932)
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| 研究分担者 |
原田 仁平 理学電機(株), X線研究所, 研究員
野々垣 陽一 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (40300719)
田渕 雅夫 名古屋大学, 工学部, 講師 (90222124)
藤原 康文 名古屋大学, 工学研究科, 助教授 (10181421)
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| キーワード | 表面 / 界面 / 1原子層 / 結晶構造 / ヘテロ成長 / 制御 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、半導体界面の1原子層及び表面の1原子層の結晶構造をその場で測定・解析できる手法を確立し、半導体に限らず、ヘテロ構造の成長を制御し、従来の半導体/半導体ヘテロ構造では考えられない量子機能を発現させることである。本年度の実績の概要を以下に示す。
1. 基板に1原子層を介在させることで、X線の干渉を起こさせて信号を変調し、表面1原子層(Ga原子面かAl原子面か)を明瞭に測定することに成功した(J.Synch.Radiat.に掲載)。
2. 更に、InP中のEr原子2x10^<14>個/cm^2(1/10原子層に相当)の周辺構造の測定に成功した(J.Synch.Radiat.に掲載)。
3. 磁性体についても測定を行い、Cu数原子層に挟まれたFe3原子層の周辺構造の測定にも成功し、広い材料系において適用可能であることを示した(Appl,Sur.Sci.に掲載)。
4. GaP上にInAs量子ドットの形成(1/5原子層に相当)に成功し、その構造観察を原子間力顕微鏡及び透過電子顕微鏡で行った(Appl.Sur.Sci.に掲載)。
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