| 研究課題/領域番号 |
09440195
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
岩澤 康裕 東京大学, 大学院・理学系研究科, 教授 (40018015)
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| 研究分担者 |
佐々木 岳彦 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (90242099)
大西 洋 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (20213803)
朝倉 清高 東京大学, 大学院・理学系研究科, 助教授 (60175164)
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| キーワード | リアルタイムイメージング / 反応プロセス制御 / XPEEN / ESDIAD / STM |
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| 研究概要 |
本年度は1年目ということで、装置の整備を主に行った。XPEEM装置は、in-situ条件下で、X線による表面原子や電子状態を識別して、表面mappingをするためのものであり、新たに開発した装置である。まずこの装置の高感度化を行った。そのために、低ノイズCCDカメラを取り付けた。これにより、積算時間を上げることができるため、S/B比の大きな像として、表面の画像化をすることができるようになった。反応条件下のin-situ観察を行うため、このXPEEM装置にガス導入システムを装備した。マスフローコントローラにより、一定量のガスをコントロールして導入できるようにし、定常反応条件下のXPEEM像を観測できるように改造した。さらに、画像処理用に新たにパーソナルコンピュータを購入した。これにより、コントラストを増強したり、平滑化処理を行ったりして、画像を鮮明にすることができる。同時に、X線光電子スペクトルを測定するためのパルスカウンティングシステムの構築も行った。
一方リアルタイムイメージングのテストサンプルとして、Si基盤上のAgの昇華過程を追跡し、融解することなく、周辺よりAgが徐々に昇華していくことをリアルタイムで追跡することに成功した。
一方、温度変化ESDIAD装置によりRu(001)面上におけるメタノールの分解過程のリアルタイム観察を行い、中間体やその配向に関する情報を得ることに成功した。
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