| 研究概要 |
1. ジシラニルタングステン錯体CpW(CO)_3SiMe_2SiMe_3(Cp=η-C_5H_5)を光照射すると,シリル(シリレン)錯体のカルボニル配位子の酸素が互いにシリレン配位子に配位して8員環を形成した二量体錯体[CpW(CO)_2(=SiMe_2)SiMe_3]_2が生成することを明らかにした。また,対応するジゲルミル錯体CpW(CO)_3GeMe_2GeMe_3を光照射すると,塩基の配位していないゲルミル(ゲルミレン)錯体が得られることがわかった。それぞれの錯体の構造を結晶構造解析により明らかにした。
2. 電子豊富なルテニウムフラグメントを含むアルコキシ架橋ビス(シリレン)錯体が溶液中で動的挙動を示すことを見いだした。この動的挙動の機構として塩基の配位していないシリル(シリレン)錯体を中間体とする機構を提案した。またアルコキシル基で安定化されたビス(シリレン)ルテニウム錯体と遊離のシリレンを反応させると,シリレンがルテニウム-ケイ素間に挿入してジシラニル(シリレン)錯体が得られることを明らかにした。
3. アルキル(ヒドリド)(ヒドロシリル)イリジウム(III)錯体の熱反応によってヒドリド(シリレン)錯体が生成することを見いだした。この反応はエチレンの脱離とケイ素からイリジウムへの水素の1,2転位を経て進行することを明らかにした。
4. 塩基が配位して安定化された陽イオン性ゲルミレン錯体の合成に成功した。
5. シリレンが鉄およびタングステンを架橋した錯体の合成に成功した。これはシリレンが異なる金属核を架橋した珍しい例である。
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