研究概要 |
1.分光エリプソメトリによるMOVPEのその場観察:有機金属気相エピタキシ(MOVPE)においては,有効なその場観察法がなかった.本年度は,分光エリプソメトリを用いたMOVPEのその場観察を試み,特に成長表面状態の観察が可能であることを示した.その知見を応用して,InGaAs/InPヘテロ接合界面におけるAs-P置換を抑制し,その界面急峻性を単原子層オーダまで高めることに,初めて成功した. 2.有機金属気相拡散選択エピタキシ-技術の開発:モノリシック光集積回路を作製するにあたり,能動素子と受動素子を一括集積化する技術として,有機金属気相拡散選択エピタキシ-(metal-organic vapor phase diffusion enhanced selective area epitaxy;MOVE^2)を新たに開発した.これを用いて,1.55μm帯における能動領域と受動領域のバンドギャップ差を,組成の差のみの場合で200nm,組成と量子井戸層厚の差の両方を利用できる場合で500nmと,従来に比べ格段に大きくすることに成功した. 3.面積選択MOVPE成長のプロセスシミュレーション:MOVPEによる選択成長を統一的に理解することを目的として,シミュレーションを行った.まず,横方向気相拡散効果と表面マイグレーション効果の両方を平均化したモデルを使用して,1次元シミュレーションを行った結果,これまで報告されている選択成長の実験事実を説明することができた.しかし,上記MOVE^2の実験結果を説明するには不十分であって,横方向気相拡散と表面拡大効果とを明確に分離する必要があった.そこで,気相を含めた新たな2次元シミュレーション技術を開発中である.
|