| 研究概要 |
量子細線・量子箱を用いると,バンド端状態密度の向上などにより半導体レーザの高性能化が期待され,これらの実現を目指してInGaAs系を中心にその製作方法の研究進展が著しい。しかしそのほとんどは波長〜1μmの赤外発光領域に偏っている。一方高密度光情報処理への応用や、光電子融合集積回路においてシリコン受光素子の吸収係数を増大するには、可視、特に短波長領域半導体レーザの高性能化、高効率化、低消費電力化が必要である。特に量子井戸箱に閉じこめられた励起子や励起子分子では大きな振動子強度(大きな光学利得)が理論的に予見されており、元来励起子の束縛エネルギーが大きいワイドギャップ半導体を用いてこれを実現すれば,高性能短波長レーザが実現される可能性が高い。
今年度は主に量子ドットの作成に関する研究を進めた。まづCdSeの量子箱構造の作製について研究を進め,自己組織化ドット構造が作製できること,また原子価不整合系へテロ構造ではドットが不安定になる可能性があるが,陽原子共通へテロ接合系では安定なドット構造が作製できることを示した。これと並行してAFMナノリソグラフィによって〜20nmの高解像度のパタ-ニングが可能であること、パタ-ニングされたマスクを用いドット構造の選択成長も可能であることを示した。現在このようにして作製したドット構造におけるマイクロPLの測定から,ドット構造におけるブルーシフトが観測されつつあり,今後さらに詳細な測定を進めていく。
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