| 研究課題/領域番号 |
09450130
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
冷水 佐壽 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (50201728)
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| 研究分担者 |
北田 貴弘 大阪大学, 基礎工学研究科, 助手 (90283738)
下村 哲 大阪大学, 基礎工学研究科, 助教授 (30201560)
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| キーワード | 自然形成型量子細線 / GaAs量子細線 / InGaAs量子細線 / (775)B GaAs基板 / MBE成長 |
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| 研究概要 |
本年度は(775)B GaAs/(GaAs)_4(AlAs)_2量子細線レーザの開発と、長波長寄りの発光特性を示す(553)B InGaAs/GaAs量子細線や(775)B InGaAs/InAlAs量子細線を作製した。
1. (775)B GaAs/(GaAs)_4(AlAs)_2量子細線
(775)B GaAs/(GaAs)_4(AlAs)_2量子細線を活性層に持つGRIN-SCH半導体量子細線レーザを初めて試作した。高い一次元性が得られる平均の量子井戸層の厚さが2.7nmのレーザで、室温(20度C)のパルス電流駆動下において、3kA/cm^2のしきい値電流密度が得られた。これは、自然形成型量子細線レーザで初めて観測された室温レーザ発振であり、その光学的特性が優れていることを示唆している。
2. (nnl)B InGaAs表面コラゲーション
(775)Bだけでなく、その近傍の高指数面(nnl)B GaAs面上のInGaAs薄膜の表面コラゲーションを調べ、量子細線により適した均一な表面コラゲーションが(553)B面と(221)B面上で得られることが分かった。
3. (553)B InGaAs/GaAs量子細線
(553)B GaAs基板上にInGaAs/GaAs量子井戸をMBE成長し、素子応用に適した860nmで発光する自然形成型InGaAs/GaAs量子細線が得られることが分かった。これは、これまでの(775)B量子細線の発光波長(670-720nm)に比べて長波長化しており、GaAs/AlAs多層キャピティも有効で、面発光レーザへの応用が期待できる。
4. (775)B InGaAs/InAlAs量子細線
(775)B Inp基板に格子整合したInGaAs/InAlAs量子細線を作製し、1.3μmで発光する自然形成型の量子細線を初めて作製した。
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