電磁妨害波測定用実験室の高性能化に関する研究

1999 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 09450156
• 研究機関: 九州工業大学
• 研究代表者: 徳田 正満 九州工業大学, 工学部, 教授 (70284586)
• 研究分担者: 渡部 行男 九州工業大学, 工学部, 助教授 (40274550)
• キーワード: 電波暗室 / 電波吸収体 / レイトレース法 / サイト減衰量 / フェライト電波吸収体 / FDTD法 / 磁気シールド / 超格子

研究概要

(1)電波暗室の電磁界解析法:電波暗室の特性を評価するには、被試験機器の代わりに送信アンテナを設置し、それと受信アンテナ間の電波伝搬特性(サイト減衰量)を測定し、基準値と比較する方法が国際規格で規定されている。サイト減衰量を理論的に解析する方法としてはレイトレース法が一般的であり、前年度まではその方法を主体に検討を進めてきた。しかし、レイトレース法では300MHz以下の低周波で近似精度が悪化するため、FDTD(有限差分時間領域)法によるサイト減数量解析法を検討し、基本的な見通しを得つつある。
(2)模擬機器による電波暗室の特性評価法:電波暗室の特性評価用として模擬機器を前年度に開発したが、今年度は模擬機器の放射パターンをモーメント法で計算する方法を検討し、実測値と一致することを確認した。また、開発した模擬機器を使用して、床面が金属の5面電波暗室と床面にも電波吸収体を敷いた6面電波暗室の相関性を検討した結果、標準アンテナによるサイト減衰量とは異なる相関性が得られ、模擬機器の必要性に対する見通しを得た。
(3)磁気シールドルームの磁性材料:昨年までに確立した磁性薄膜作製法測定システムを用いて、磁性・誘電体超格子を作製し、磁性を保持したまま、電気抵抗を制御できることを見出した。さらに、極低温ではあるが、従来の同じ系統の材料に比べ、100倍以上も透磁率を高める新現象と思える効果を発見した。また、誘電体の応用を広げるため、誘電体薄膜を従来に比べ200℃以上低い温度で作製する新しいスパッター法(スパッターMBE)を開発し、誘電体の積層構造を用いた新機能ダイオードを開発した。

研究成果

• [文献書誌] M.Tokuda,K.Shimada and H.Ishii: "Site Attenuation Characteristics of Anechoic Chamber Using Foamed Ferrite as New Absorbing Material"International Symposium on Electromagnetic Compatibility,Tokyo. 240-243 (1999)
• [文献書誌] T.Kawashima,J.Aquino and M.Tokuda: "Evaluation of Anechoic Chamber Characteristics Using an Optically Driven Imitated Equipment"International Symposium on Electromagnetic Compatibility,Tokyo. 244-247 (1999)
• [文献書誌] T.Hayashi,S.Inoue,K.Shimada and M.Tokuda: "Anechoic Chamber Using Foamed Ferrite for Immunity Tests in the Frequency Range Over 1 GHz"International Symposium on Electromagnetic Compatibility,Tokyo. 256-259 (1999)
• [文献書誌] K.Shimada,T.Hayashi,and M.Tokuda: "Fully Compact Anechoic Chamber Using High Frequency Ferrite Pyramid Absorber"2000 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility,Washington DC. 8月発表予定 (2000)
• [文献書誌] A.Horiguchi and Y.Watanabe: "Low Temperature Growth of Epitaxial (Ba,Sr)TiO_3 Thin Film Sputter MBE Method"Jpn.J.Appl.Phys.. 38(9B). 5314-5316 (1999)
• [文献書誌] M.Okano and Y,Watanabe: "Nonvolatile programmable two-terminal diodes using ferroelectric semiconductor"Appl.Phys.Lett.. 76(2). 233-235 (2000)