| 研究課題/領域番号 |
09555105
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
呉 南健 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助手 (00250481)
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| 研究分担者 |
石井 宏辰 古河電気工業, 横浜研究所, 研究員
赤澤 正道 北海道大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (30212400)
雨宮 好仁 北海道大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80250489)
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| キーワード | ショットキ / ダイオード / InP / 高速 / スイッチング |
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| 研究概要 |
高速スイッチング電源用のInPパワーショットキ整流ダイオードの最適構造を設計した。また、InPパワーショットキ整流ダイオードの試作を行った。以下に本研究で得られた成果の概要を記す。
1)高速スイッチング電源用のInPパワーショットキ整流ダイオードの最適構造を設計した。耐圧40Vを設計基準として、次のダイオードの最適構造を得た。ダイオードのエピタキシャル層の厚さは0.2um、エピタキシャル層のキャリア濃度は3x10^<16>/cm3,ショットキ障壁値0.4eVである。
2)以上の最適構造を用いてInPパワーショットキ整流ダイオードの高速動作特性を解析した。ダイオードの整流可能最高周波数は約10MHzであることがわかった。
3)実際にnPパワーショットキ整流ダイオードの試作を行った。ショットキ整流ダイオードの直列抵抗を低減するために、ダイオード基板のオーミックコンタクト抵抗を最小することが不可欠である。350℃で5分間ア-ニリング方法で低抵抗のAu・Ge・Ni合金系オーミックコンタクトを得た。
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