| 研究課題/領域番号 |
09555240
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| 研究機関 | 大阪府立大学 |
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研究代表者 |
足立 元明 大阪府立大学, 先端科学研究所, 講師 (40100177)
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| 研究分担者 |
藤井 敏昭 荏原総合研究所, 室長
奥山 喜久夫 広島大学, 工学部, 教授 (00101197)
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| キーワード | 減圧CVD / 薄膜 / イオンクラスター / UV励起 / 光電子放出 / イオン化 / TEOS / 粒子発生 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は、申請者たちが提案した全く新しいCVD成膜法「イオン化成膜法」を用いた微粒子発生を伴わない「無発塵CVD成膜装置」の試作およびその評価である。本年度は、昨年得られた成果;(1)圧力50torrで成膜したSiO_2膜の成長速度は、UV照射により1.2〜1.5倍速くなった、(2)50torrでの粒子発生は、UV照射により20〜30%抑制された、を踏まえ、成膜圧力を実機の運転条件に近い1〜10torrまで下げて成膜実験と粒子測定を行った。荏原総合研究所の藤井が昨年種々の光電子放出材を試作評価したが、何れの放出材も安定性に問題があっため、1〜10torrにおいても安定であった金薄膜を本実験でも用いた。鏡面Si基板での成膜速度は、UV照射を行った場合が行わない場合より20〜30%早くなった。トレンチ構造を持つSi基板に形成した膜の断面SEM写真は、UV照射非照射に関わらず、コンフォーマル成長を示し、TEOS/O_2常圧CVDで見られたようなイオン化による膜の流動化は観察されなかった。また、熱酸化膜被覆Si基板上に形成した膜は、緻密で、常圧CVDで見られる下地依存性は観察されなかった。広島大学の奥山はエアロゾル静電粒径測定装置を改良し、PSL粒子を用いた評価実験により、数torrの圧力場において誤差30%以内で測定できることを確認した。現在、この静電粒径測定装置を「無発塵CVD成膜装置」に組み込み、50torr以下での粒子発生を調べている。光電子放出の最適UV波長について荏原総合研究所の藤井が検討したところ、波長200nm以下の領域に光電子を最も大量に放出する波長が存在することが明らかになった。このため、UV光源を水銀ランプからXeおよびD_2ランプに取り替えて、成膜速度におよぼす影響を調べる。
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